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基于自支撑技术的氮化镓HVPE生长研究及进展
我们报道了通过脉冲金属-有机化学气相沉积法生长的In0.17Al0.83 N中间层在GaN膜的晶体质量方面的改进,该Ninterlayer与GaN膜在面内晶格匹配。 通过高分辨率X射线衍射估计,铟成分
二硼化钛粉体的制备，王春华，李运佳，本实验以价格便宜且又易于得到的富钛原矿和硼酐为原料，可以极大地降低硼化钛粉体制备的成本。对TiB2粉体制备的反应方程式进行热�
花生根瘤菌与钼、硼复配的可行性研究，徐开未，陈远学，本文针对四川花生主产区土壤缺硼、钼现状和花生对硼、钼的需肥特性，探索根瘤菌与Mo、B复配的可行性。供试慢生花生根瘤菌Spr2-9、Spr
Si(111)衬底上生长的GaN基发光二极管中3C-SiC中间层的影响
不同土壤有效硼含量对烤烟生长发育的影响,詹柳琪,张颖,通过盆栽试验,研究了不同土壤有效硼含量对烤烟生长发育的影响。结果表明,土壤有效硼含量在0.638 mgokg-1~1.004mgokg-1时的各个
钛宝石单晶是重要的可调谐激光晶体材料,当前的研究重点在于获取大尺寸、高质量钛宝石晶体来满足高能激光发展的需求。采用先进泡生法(KY)生长技术,通过对生长工艺的优化控制,成功生长出了高质量的30 kg级
图文详解图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长。
利用转移矩阵法研究了含单层负折射率缺陷的一维光子晶体缺陷模的光学特性。结果表明,随着缺陷层厚度的增加,缺陷模的频率呈现分阶段的变化。第一阶段为单调递增,第二阶段为过渡过程,第三阶段为单调递减。这些性质
PLC在卧式硫化罐上的应用pdf,PLC在卧式硫化罐上的应用
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