我们报道了通过脉冲金属-有机化学气相沉积法生长的In0.17Al0.83 N中间层在GaN膜的晶体质量方面的改进,该Ninterlayer与GaN膜在面内晶格匹配。 通过高分辨率X射线衍射估计,铟成分约为17%,并且具有InAlN中间层的GaN膜中的螺线位错和边缘线位错(TD)减少。 使用透射电子显微镜(TEM)测量来了解TD密度降低的机理。 拉曼光谱和光致发光测量表明,InAlN中间层可以改善GaN膜的晶体质量,并验证在使用InAlN中间层的GaN膜中没有引起额外的残余应力。 原子力显微镜测量表明,InAlN中间层带来了GaN膜光滑的表面形貌。 所有结果表明,InAlN中间层的插入是在GaN外延中获得优异晶体质量的便捷方法。