通过选择性区域外延(SAE)进行的III–V半导体多量子阱纳米线(MQW NW)对于开发用于光通信,硅光子学和量子计算等应用的纳米级发光器件非常重要。 为了获得高效的发光器件,不仅高质量的材料,而且对其生长机理和材料特性(结构,光学和电学性质)的深刻理解也至关重要。 尤其是,通过SAE嵌入在NW结构中的MQW的三维生长机理预计与在平面结构中或通过催化剂生长的MQW的三维生长机理不同,并且尚未进行深入研究。 在这项工作中,我们揭示了通过SAE金属有机气相外延(MOVPE)技术生长的InGaAs / InP MQW NW的独特径向生长演变。 我们观察到在纤锌矿(WZ)基-InP NW上轴向InGaAs QW生长引起的锌共混物(ZB)QW盘的形成​​,并提出将其作为驱动径向生长总体结构的关键因素。 考虑到不同方面之间形成能的差异,ZB到WZ的变化在整体增长演变的驱动中的作用得到了增长形式主义的支持。 尽管在MQW区域上具有ZB和WZ相混合的多型晶体结构,NW仍显示出较高的均匀性和理想的QW空间布局,且在〜1.3μm的光通信波长下具有明亮的室温光致发光,这对未来的发展有希望。高效发光器件。