暂无评论
具有超低比导通电阻的累积模式高压SOI LDMOS
具有累积效应扩展栅极的超低导通电阻高压p沟道LDMOS
具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS
提出了一种低导通电阻(Ron,sp)的可积硅绝缘体(SOI)n沟道横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS),并通过仿真研究了其机理。 LDMOS具有两个功能:平面栅极和扩展沟槽栅极(双栅极(DGs))
使用沟槽栅极和嵌入式漏极的低导通电阻SOI LDMOS
具有三个分离栅极和高k介电常数的超低导通电阻SOI LDMOS
提出了一种新型的具有超低比导通电阻(R-on,R-sp)的高压沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。 该结构具有双栅极(DG LDMOS):在氧化物沟槽中插入了平面栅极和沟槽栅极。 首先,双栅
提出了一种超结(SJ)VDMOS,其沟槽栅极下方具有高k(HK)介电柱,并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度,从而降低了比导通电阻(Ron,sp),而
MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"的极性不同,可分为n-type与p-ty
MOSFET能够将导通电阻再降低一点那就棒了。电阻导致发热,换而言之就是浪费电能。为何你们不能环保一点呢?
暂无评论