808 nm大功率半导体激光器寿命实验

随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将1

高效率、高功率半导体激光器及其抽运的全固态激光器和光纤激光器是激光系统中的核心元器件,具有体积小、重量轻、输出功率高、性能稳定和寿命长等优点,广泛应用于医疗美容、先进制造、娱乐显示、激光抽运、安全防护

西安炬光科技发布了高功率808nm 10W的单管半导体激光器。该产品采用200μm发光条芯片,腔长为4mm,输出功率超过10W。目前市场上10W 808nm产品主要是400um芯片单管,200um发光

一般讲,如果只考虑器件的功率特性,则制造大功率激光器并不太困难。但要想制出同时具有大功率和稳定单纵模与横模的激光器则很难。然而,在诸如高速激光印刷、光盘记录以及远距离空间通信等许多应用中,偏偏要求激光

在日本,提高激光器输出功率的研究是在各个领域分别进行的,进行这项工作中发现,在进一步提高激光器的输出功率方面存在着限制。为此需要就共同存在的问题,重点进行解决。各国多数是在国立研究机关进行基本研究,然

利用高能激光器进行惯性约束核聚变研究,1980年在科学原理上已接近成熟。美国、欧洲和日本的新装置的实验结果表明,到80年代中期会有有效的能量释放。诊断技术和测试装置,尤其是X射线测试装置已经跟上,因此

激光核聚变成功与否,取决于大功率激光器的发展。为此,效率高(6%以上)、输出大(10千焦耳)、脉宽短(毫微秒以下)、波段适当的激光器的研制工作正在进行。由这种条件推定的激光器的规格汇总示于表1。

106型He-Ne激光器由于采用了多种技术,具有以下优异特性:对He-Ne激光器稳定性的要求总是很高,就是说输出功率不但要高,而且要有短时间或长时间的输出功率稳定性。106型He-Ne激光器满足上述条

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器, 测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的In

主要描述了大功率高速半导体峰值功率测试技术的研究，对设计半导体激光器的开发有一定参考价值。