RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较

裂解温度对硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜氧空位的形成及其发光性能的影响，姚荣迁，郑鸿飞，通过先驱体熔融纺膜法纺出连续聚碳硅烷(PCS)原膜，对其进行10h氧化交联及900预烧后，分别在1050℃、1100℃、

进程在核心的协调下进行相互间的通讯机制——管道，信号量，消息队列。

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以CO为燃料(即还原性气氛),在热天平上分别对Ni基、Fe基、Cu基和Co基4种制备金属载氧体进行热重实验,通过分析各自的TG曲线,了解到4种载氧体均出现了不同程度的积碳现象,其中Cu基载氧体可以在一

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HfO2中氧空位对电荷陷阱记忆的影响的首要原理研究

为了获得最佳的电阻转换性能,研究了Nb:SrTiO3(NSTO)的氧空位浓度对Ag / NSTO / Ti结构的电阻转换性能的影响。 为了获得具有不同氧空位浓度的NSTO,在将衬底用于制造Ag / N

嵌入式系统对于功耗和面积具有很高的要求.便签存储器(scratchpad memory,SPM)与同等容量Cache相比具有能耗低、片上面积小等优点,现已成为嵌入式处理器中广泛采用的片上存储器.高效的

表面氧空位浓度对ZnO性质影响的第一性原理研究，黄萍，商波，使用DFT方法研究了不同表面氧空位浓度对ZnO(10-10)表面体系的结构稳定性、电子结构和光学性质的影响。计算结果表明，表面氧空位浓度�

通过NaBH4和SrTiO3纳米晶体的可控固相React,已经开发了一种简便而通用的方法在钙钛矿SrTiO3(STO)纳米晶体上制造氧空位。 合成了具有可调颜色,纳米晶体表面上的氧空位浓度的STO样品