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以光纤通信作为主要目标的半导体激光器,最近几年来取得了显著的进展。随着器件性能的改善和可靠性的提高,工艺的重点正从研究和发展阶段迅速地转移到商品化应用。除了用作光纤通信光源的0.8微米波段和1微米波段
SiC衬底上的蓝光半导体激光器
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-
分析了半导体激光器光波经准直透镜的传输特性, 对影响准直光束质量的主要因素作了深入讨论, 并在实验上利用小口径大数值孔径透镜获得了高准直度的光束。
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
精确测量了半导体激光器远场分布并与新的远场理论模型作了细致的比较。结果表明新模型在很大的角度范围内与测量数据准确地符合。
光泵蓝光有机半导体激光器
本文用龙格-库塔法求解高斯脉冲调制下半导体激光器速率方程,对结果进行了分析。推出了较高偏置直流和高斯脉冲调制下计算激光脉冲延迟时间、脉冲宽度和最大调制码率的公式。给出了调制畸变的实验结果。
多芯片半导体激光器光纤耦合设计
常用连续半导体激光器的输出光功率一般在几毫瓦以上,输出光功率在几十~几百毫瓦或更大功率的连续半导体激光器正逐步扩大应用范围.
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