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引言 半导体光电探测器由于体积小,重量轻,响应速度快,灵敏度高,易于与其它半导体器件集成,是光源的最理想探测器,可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。最近几年,由于超高速光通信、信号处理
激光电子竖琴——作品展示-激光电子竖琴资料分享.rar
X射线光电子能谱法测量BiOCl / ZnO核壳纳米片的能带排列
图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置[56],从图可见,N阱与P+区构成一个二极管,称为工作二极管D。;N阱与衬底构成一个二极管
将多个PN型光电探测器组成阵列,可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探测器阵列上的光学图像信息以电信号形式按时序串行输出。常见的固体摄像器件有CMOS(Complementary
CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术,具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺,单阱工艺只含一个阱(N阱或者P阱)。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上,而将PM
吸收增强的光栅型金属-半导体-金属光电探测器的优化设计
单光子检测是量子通信中量子密钥分配的关键技术之一。 作为一种新颖的单光子检测技术,超导纳米线单光子检测器(SNSPD)以高计数率和低暗计数率超越了传统的半导体单光子检测器。 在本文中,我们介绍了由Nb
混合集成的光电子集成回路中光子器件和电子器件根据各自器件的材料结构和制作工艺的不同分别制作在不同的芯片上,通过焊接、封装等技术固化组合在一起。混合集成的光电子集成回路具有器件优化程度高,产品成品率高,
单片集成就是在将集成电路和光电子器件制作在同一材料上,将微电子与光电子技术的优势相互结合,以期达到最佳性能。单片集成的光电子集成回路具有结构紧凑、器件一体化、集成度较高等特点 ,但由于光子器件和电子器
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