基于SnO2半导体的纳米线交叉结的门调制传输特性及机理

CuO纳米线的制备及电子发射性能的研究

在n掺杂的无结纳米线晶体管中,电子通过施主诱导的量子点阵列的传输行为

静电纺丝法制备CuO/SnO2复合材料及其气敏特性研究

PN结的单向导电性 PN结在外加电压的作用下,动态平衡将被打破,并显示出其单向导电的特性。 1、外加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场与内电场的方向相反,内电场变弱,结果使空间电荷区

建立了基于半导体光放大器交叉增益饱和的波长转换的理论模型。分别讨论了小信号下波长转换特性和大信号下转换波形的畸变情况。结果表明,半导体光放大器的载流子寿命是导致输出波形畸变的主要因素。

提出一种基于硅衬底的涂覆石墨烯层的三角形纳米线等离激元波导,并采用有限元方法详细研究了基模传输特性及其与几何参数、物理参数的关系。结果表明:间隙区域大小、顶角角度、圆角半径和石墨烯化学势对模式传输特性

本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到

基于光子晶体微腔的InGaAs纳米线的阈值增益特性研究，龚翔，吴超，本文采用时域有限差分法研究了光子晶体微腔中的In0.53Ga0.47As纳米线的阈值增益特性。研究结果表明，在无光子晶体微腔时，随着

Eu掺杂对高序SnO2纳米棒阵列的微观结构,形貌和甲烷感测性能的影响

核/壳结构半导体纳米材料的研究进展，蒋阳梅，刘新华，复合纳米材料尤其是半导体核/壳结构的纳米材料在太阳能转换、光电子器件、分子和细胞成像、靶向治疗、超灵敏探测和超高速处理等�