界面状态对常关AlGaN / GaN MIS HEMT开关行为的影响

元件贴放是通过吸嘴在z轴方向下降并在元件接触焊膏的时候去除吸嘴内的负压,从而使元件黏附在焊膏上而完成贴装过程。正确的贴装应该使元件适度压入焊膏,依靠焊膏的黏结力将元件固定在印制板上。但实际贴装中,由于

微波辐照对碳纤维界面性能的影响，王奔，段玉岗，微波辐照作为一种快速、高效、无需化学试剂的工业化处理手段，被用来对T300碳纤维表面预处理，以改善其与树脂之间的界面性能。为�

温度对镁合金微动磨损行为影响研究，王梦婕，万幸芝，采用球-平面接触方式,研究AZ31B镁合金在20℃和300℃、不同法向载荷和位移幅值参数下的微动磨损行为，采用光学显微镜和白光干涉仪分析

气体混合和加热对GaN MOCVD生长中气相React的影响

基片温度对FTO导电玻璃上沉积GaN薄膜性能的影响，于博，秦福文，利用电子回旋共振等离子增强金属有机化合物气相沉积(ECR-PEMOCVD)，三甲基镓（TMGa）和氮气分别作为反应源，改变基片沉积温度

GaN基半导体材料近年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)。目前有关GaN材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在GaN的刻蚀和欧姆接触

用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格旋

Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O2 plasma im

High-Performance Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Combined With TiN-Bas

通过低压金属有机气相沉积来生长非极性(112 ̄0)a平面GaN膜在r平面(11′0 2)蓝宝石衬底上。报告了使用AlN / AlGaN超晶格(SLs)的方法使用X射线衍射和原子分析技术改进a平面Ga