暂无评论
课程内容: 1 版的图形尺寸精确 2 版的套准误差小 3 版的黑白反差高 4 图形边缘光滑陡直无毛刺、过渡区小 4.1 过渡区定义和特点 4.2 过渡区产生的原因 4.3 过渡区造成的影响 5 版面光
光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,
光刻技术是集成电路的关键技术之一 在整个产品制造中是重要的经济影响因子,光刻成本占据了整个制造成本的35% 光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因,如果没有光刻技术的 进步,
光刻工艺过程与一般器件相同,包括有:涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。其中前烘的温度和时间需要严格控制,温度过高,时间太长,易造成显影困难;温度低,时间短,易造成浮胶,针孔或图形变形。坚膜的
光刻知识教程
在现代半导体行业中，研发中心对于光刻技术的关注是非常重要的。
高光谱遥感成像机理与成像光谱仪中国科学院资料
为了研究移动脉冲激光刻蚀单/双层金属/聚酰亚胺基复合材料的规律, 利用有限元方法建立了移动纳秒脉冲激光刻蚀的通用模型, 讨论了移动速度对激光刻蚀深度的影响, 分析了金属铝薄膜和双层金属膜在移动脉冲激光
提出了一种新的光刻机像质参数热漂移原位检测技术(TDFM)。详细分析了该技术利用镜像测试标记检测投影物镜最佳焦面热漂移与放大倍率热漂移的基本原理。实验结果表明TDFM技术可同时实现最佳焦面热漂移(FF
军工新材料行业报告:碳纤维复合材料
暂无评论