AlGaN / GaN HEMT的改进DC模型

本文提出了一种改进的GaN高电子迁移率晶体管HEMT的DC IV特性的经验模型。 改进之处在于允许Curtice模型参数随栅极-源极电压而变化。 模型参数提取是针对100微米栅宽的GaN HEMT。 在建模结果和测量结果之间获得了很好的一致性。