暂无评论
对于SOl波导来说,CVD技术一般用来淀积其上包层,通常为二氧化硅或氮化硅。 对于调制器等有源器件来说,这一层还起着隔离金属电极减小电极对波导造成损耗的作用,所以厚度一定要选择合适,不能太薄,如果
GaN材料的特性与应用2005-4-4 20:20:03 王平 1前言 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石等半导体
两步生长过程中具有不同成核层厚度的GaN /蓝宝石界面的演变及其对整体GaN晶体质量的影响
Web安全之强化学习与GAN，绝无仅有的资源，网上必须要花钱买，我就无私奉献吧
具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
肖特基源技术实现的高击穿电压InAlN / AlN / GaN HEMT
提出了包括隔离层和成核层的双重AlN缓冲层结构,以通过金属有机化学气相沉积来改善蓝宝石衬底上的AlN膜的生长。 该方法旨在减弱负氮化作用,并改善初始生长阶段的侧向生长条件。 发现适当增加成核层的厚度有
摘要: 采用氨热法在碱性条件下生长了 GaN 体单晶,SEM 照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量 GaN 晶体的 E2 ( high) 声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯
GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响，庄睿，夏晓川，通过选择不同温度采用热氧化方式，在GaN基板上预先形成氧化镓薄层，而后以高纯氧气和三乙基镓为反应源，利用低压金属有机化合物气
采用射频感应耦合离子源(ICP)在硅基底上沉积了DLC薄膜,通过原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱对DLC薄膜的表面形貌及结构进行了分析表征,用UTM-2摩擦磨损试验仪对薄膜的摩擦学性能进行了测试。结果
暂无评论