两步生长过程中具有不同成核层厚度的GaN /蓝宝石界面的演变及其对整体GaN晶体质量的影响

详细介绍了影响LED蓝宝石晶圆制造的质量和成本等各方面因素。

摘要: 采用氨热法在碱性条件下生长了 GaN 体单晶,SEM 照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量 GaN 晶体的 E2 ( high) 声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯

研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响, 结果发现:AZO薄膜在600 °C退火后, X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°, 晶

详细研究了n型AlGaN限制层与InGaN上波导对GaN基绿光激光器光场分布与电学特性的影响,结果表明:增加n型AlGaN限制层厚度或提高InGaN上波导中的铟组分可以明显抑制GaN基绿光激光器的光场

GaN基半导体材料近年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)。目前有关GaN材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在GaN的刻蚀和欧姆接触

在有效质量包络函数理论的框架下,从理论上研究了电场对掺锌(ZB)InGaN / GaN量子点(QD)中激子态和光学性质的影响。 数值结果表明,电场使InGaN / GaN QD中的基态激子结合能,带间

使用基于密度泛函理论的第一性原理计算,我们研究了同时具有氮空位(VN)和镓空位(VGa)缺陷的GaN和6.25%Fe掺杂的GaN的光电性能。 通过分析能带结构,电子态分布,介电函数,吸收系数,折射率,

p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响

研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特

具有快速姿态调节能力的敏捷卫星,可灵活、快速地机动到感兴趣区域并进行成像,大大提高卫星观察的时效性,并扩大观察范围。目前敏捷卫星大多采用星下点推扫成像或沿平行于卫星飞行方向推扫成像的方式,研究机动成像