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研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近,在它们的光
欧姆龙凹槽型·反射型接插件型EE-SPX301/401pdf,欧姆龙微型光电传感器槽型·反射型接插件型EE-SPX301/401、EE-SPY30/40：抗外来光干扰的变调光式。电源电压为5～24VD
对n掺杂和非掺杂InGaN LED的稳态和动态特性进行了比较研究。 仿真结果表明,n型掺杂的LED具有优异的发光和调制性能,这主要归因于n型掺杂的LED具有较高的载流子辐射率。 结果可以很好地解释所报
如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传
从头算方法研究C和O掺杂的p型AlN晶体的铁磁性，许梁，王玲玲，用基于自旋激化密度泛函理论平面波赝势的从头算方法对p型Al(C,N)晶体的电子结构和磁相互作用进行了计算。计算结果表明：一个C原子�
通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜,该薄膜具有相当好的p型导电性,TC远高于室温的铁磁性,并且在可见光范围内具有较高的透明度。 研究了铁浓度(0-15 at%)对组
分子束外延生长梯度掺杂透射模GaAs光电阴极中载流子的分布
欧姆龙微型光电传感器限定反射型接插件型EE-SPY31pdf,欧姆龙微型光电传感器限定反射型接插件型EE-SPY31/41：即使检测物体的背景是不锈钢镜面体，也能稳定检测工件。即使背景物体是镜面体，只
不同材料模型的药型罩对仿真结果的影响,陈文刚,,应用ANSYS/LS-DYNA的聚能装药侵彻仿真时,药型罩材料模型的选择有多种,对仿真结果之间的差别进行了比较。在炸药、药型罩结构等条件�
通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明,当Al膜厚度为120 nm,脉
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