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对n掺杂和非掺杂InGaN LED的稳态和动态特性进行了比较研究。 仿真结果表明,n型掺杂的LED具有优异的发光和调制性能,这主要归因于n型掺杂的LED具有较高的载流子辐射率。 结果可以很好地解释所报
如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质,例如硼或铟,它们的价电子带都只有三个电子,并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传
分子束外延生长梯度掺杂透射模GaAs光电阴极中载流子的分布
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通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜,该薄膜具有相当好的p型导电性,TC远高于室温的铁磁性,并且在可见光范围内具有较高的透明度。 研究了铁浓度(0-15 at%)对组
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不同材料模型的药型罩对仿真结果的影响,陈文刚,,应用ANSYS/LS-DYNA的聚能装药侵彻仿真时,药型罩材料模型的选择有多种,对仿真结果之间的差别进行了比较。在炸药、药型罩结构等条件�
通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明,当Al膜厚度为120 nm,脉
