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248+nm深紫外光刻胶;248+nm深紫外光刻胶 学术论文
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速
透镜材料对激光能量的吸收导致深紫外光刻投影物镜温度升高,产生热像差。离轴照明模式下,温度呈非对称分布,研究温度场对热像差的仿真预测和补偿具有十分重要的意义。提出了温度分布函数模型描述4种照明模式下物镜
离轴照明技术(OAI)是极紫外光刻技术中提高光刻分辨率的关键技术之一。为了实现考虑掩模阴影效应情况下离轴照明的优化选择,构造了一种新型实现OAI曝光的成像模型。将照射到掩模上的非相干光等效为一系列具有
利用激光等离子体软X射线为激励源,首次观察到离子性氟化氩准分子在125 nm附近的真空紫外辐射,其实验结果与理论计算值符合很好。
研制在光谱的可见光区域以外的短波长振荡器和放大器,是目前量子电子学的一个有前途的发展方向。这种器件在控制化学反应、对微,物体进行全息照相研究及研究高能光子与物质的相互作用方面,将会得到广泛的应用。最近
为了满足紫外光学遥感信息定量化发展的要求,构建了一套高精度真空紫外探测器辐射定标系统,以美国国家标准技术研究院(NIST)真空紫外标准探测器为标准,在120-220 nm波段上,对量子效率未知的EMR
本文叙述了在接近1600埃的真空紫外光谱区能获得峰值功率超过100千瓦的新的气体激光器系统。首先介绍了分子氫激光器的理论。也叙述了这种器件独特的运转性能,即能产生在放电通道中以光速传播的快速上升电流脉
AMBE_2000在紫外光语音系统中的应用
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