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用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(1
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掺锰改性的(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06TiO3无铅压电陶瓷的微观结构及压电铁电性能，尹奇异，朱建国，采用传统制备工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba
与表面态有关的CuSCN薄膜的取向生长和电性能
成功采用提拉法生长了尺寸80 mm×100 mm的Y方向钽酸镓镧压电晶体, 晶体整体透明、无包裹体。采用LCR电桥测量了晶体的相对介电常数, 采用谐振-反谐振法测量了压电应变常数。研究了头尾之间性能
铌酸钾钠陶瓷的流延制备工艺和电学性能，樊慧庆，，本文采用固相合成了铌酸钾钠（K0.5Na0.5NbO3）陶瓷粉体，结合流延成型工艺制得了陶瓷厚膜。通过前驱体配制方案和优化烧结制度，所得�
YAG陶瓷牙齿正畸托槽的制备和力学性能研究，卢忠文，卢铁城，利用共沉淀法合成YAG纳米粉体，随后两步真空烧结制备光学质量良好的YAG陶瓷托槽，分别采用XRD、SEM和万能试验机测试YAG陶瓷托槽的物相
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