薄膜生长初期的计算机模拟,孔蕴婷,唐吉玉,本文利用MonteCarlo方法对薄膜生长过程进行计算机模拟。模型针对粒子的沉积、吸附及粒子的扩散等过程,研究了生长温度,生长时间对
PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究讲述了不同工艺参数对SiN薄膜的影响
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入
化学气相沉积(CVD)生长钻石薄膜的激光诊断
研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近,在它们的光
La2/3Ca1/3MnO3 薄膜的表面形貌与极化子与输运,吴小山,蒋树声,用磁控溅射方法在SrTiO3单晶衬底材料上制备了不同厚度的La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于12
外延氧化铟薄膜中的表面缺陷及其对薄膜电导率的影响,张玉杰,李志青,透明导电氧化物 (TCOs) 大多是宽禁带n 型半导体材料,如氧化锌、氧化铟、氧化锡。这类材料即使在不掺杂的情况下,其薄膜形状的电导�
采用连续过滤快速横向生长技术, 有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度, 提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后, 测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显
从雌性鸭自然孵化的总共80个可育卵中,随机选择健康的雌性小鸭(n = 64、32只雄性和32只雌性小鸭),并以完全随机的设计分配给四种饮食,一式四份,以评估棕榈仁粕含量(PKM)对小鸭生产性能的影响。
应用中频感应提拉法生长出不同掺杂浓度的Yb∶FAP激光晶体。运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定了Yb3+离子在Yb∶FAP晶体中的分凝系数约为0.03。随着晶体的生长,晶体中Yb
