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Gd掺杂对溅射沉积WO3薄膜电致变色性能的影响。
外延氧化铟薄膜中的表面缺陷及其对薄膜电导率的影响，张玉杰，李志青，透明导电氧化物 (TCOs) 大多是宽禁带n 型半导体材料，如氧化锌、氧化铟、氧化锡。这类材料即使在不掺杂的情况下，其薄膜形状的电导�
研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近,在它们的光
TiAl合金表面多层梯度薄膜的合成及对其抗高温氧化性能的影响，陈军，林国强，本研究工作利用改进型电弧离子镀设备的金属分离靶弧流控制技术，在TiAl合金表面合成多元硬质梯度薄膜，明确合成梯度薄膜的工艺原
La2/3Ca1/3MnO3 薄膜的表面形貌与极化子与输运，吴小山，蒋树声，用磁控溅射方法在SrTiO3单晶衬底材料上制备了不同厚度的La2/3Ca1/3MnO3 （LCMO）薄膜。当薄膜厚度大于12
高低介电态的电学双稳态超分子相变介电材料的制备与表征，张婉莹，赵玉媛，将4-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶、高氯酸和18-冠-6以一定配比反应，成功地合成了一种新型的具有电学双稳态特性的有机无机杂化
介绍了相控阵天线的基本理论，采用三维电磁场仿真程序HFSS对一个对称阵子天线和折叠偶极子天线进行仿真分析。
从雌性鸭自然孵化的总共80个可育卵中，随机选择健康的雌性小鸭（n = 64、32只雄性和32只雌性小鸭），并以完全随机的设计分配给四种饮食，一式四份，以评估棕榈仁粕含量（PKM）对小鸭生产性能的影响。
应用中频感应提拉法生长出不同掺杂浓度的Yb∶FAP激光晶体。运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定了Yb3+离子在Yb∶FAP晶体中的分凝系数约为0.03。随着晶体的生长,晶体中Yb
采用连续过滤快速横向生长技术, 有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度, 提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后, 测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显
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