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将波长为1064 nm的纳秒Nd∶YAG脉冲激光聚焦在单层Al膜上,诱导其产生等离子体闪光,模拟计算了等离子体闪光的点燃时间(tm),分别得到了tm与激光波长、入射激光能量、聚焦光斑半径、脉宽等激光作
作为信息的载体，除了原来的电荷之外，还有利用自旋现象的晶体管(Spin Transistor)。自旋晶体管不仅可使晶体管实现非易失化，还可以削减开关能量。估计2020年以后会实用化。
数控等离子切割从原理上看,是依靠高压等离子弧对材料的贯穿进行切割,所以等离子切割机电弧的稳定性将直接影响切割质量。等离子电弧不稳定现象,会导致切口参差不齐、积瘤等缺陷,也会导致控制系统的相关元件寿命降
美国光谱技术公司研制出一种高亮度激光等离子体源,用于集成电路的χ射线光刻术的快速生产。该法可能使晶片生产效率大大提高。目前,在集成电路平版印刷术中紫外线法占统治地位,然而该技术无法满足亚微米线宽的要求
高迁移率场效应晶体管中太赫兹辐射的等离子体波共振检测分析。
我们构造了IIB型超重力黑洞解决方案，该解决方案在全息上对各向异性等离子体产生了双重影响，这是由无限类的四维CFT引起的。 CFT对AdS 5×X 5是对偶的，其中X 5是爱因斯坦流形，并且变形涉及
本文报道一个新的激光与等离子体相互作用的宏观理论.根据宏观流体动力学的双流体模型,计算机数值模拟的结果表明,由于激光等离子体密度条纹的产生和衰减的周期性导致了入射激光反射率的周期性变化,说明激光与等离
用二维粒子模拟程序研究了相对论强激光和稠密等离子体相互作用引起的表面不稳定。数值模拟表明,在s偏振光作用下,等离子体表面出现了类瑞利泰勒不稳定性。形成的不稳定结构随时间发展进一步深入到等离子体内部,最
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是一种新的干法刻蚀技术,具有刻蚀速率高和各向异性刻蚀等优点,并且能够独立控制等离子体密度和自偏置电压。然而,在利用这种技术进行刻蚀的过程中,经常会发生聚合物的沉积,从
提出了水辅助激光诱导等离子体背部刻蚀Pyrex7740玻璃的方法, 制备了缩小型十字通道微流控芯片。通过理论分析和加工试验, 研究了激光能量密度和激光加工次数对平均刻蚀深度的影响, 以及刻蚀过程中去离
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