报道了一种弱相于激光干涉测温方法.以1.3 μm InGaAsP半导体激光为微探针.实时测量了功率晶体管内部结点的瞬态热特性,该方法具有响应速度快、完全非侵人性、空间分辨率高、测温范围广等优点,适合于测试Si、GaAs、InP等材料的功率电子和光电子器件的瞬态热特性。