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采用混合ALD / MLD生长的Al2O3和Alucone层的方法的柔性透明阻气膜
高迁移率场效应晶体管中太赫兹辐射的等离子体波共振检测分析。
50纳米以下碳纳米管场效应晶体管中氧化钇膜作为栅极电介质的探索
化学溶液沉积法制备Bi Fe O 3薄膜的结构及性能研究
在本文中,我们演示了一种具有嵌入铝(2)O(3)高k电介质中的铝纳米晶体(Al-NCs)的电荷捕获存储器。 与金属/ Al(2)O(3)/ SiO(2)/ Si结构相比,该器件具有更大的存储窗口(+/
采用有限时域差分法,研究了内嵌金属块长度与夹缝宽度对金属绝缘体金属波导结构的光透射特性的影响。研究发现,此结构相比较于单一直波导而言,出现了一个很明显的透射峰。并且当金属块的长度较大时,其与波导上表面
内嵌铂纳米颗粒的Al2O3/ZrO2绝缘层的介电增强，朱宝，刘骐萱，本文采用原子层淀积技术生长了铂纳米颗粒、Al2O3和ZrO2薄膜，研究了铂纳米颗粒的引入对Al2O3/ZrO2绝缘层介电性能的影响。
JH_2模型及其在Al_2O_3陶瓷低速撞击数值模拟中的应用
原子层沉积技术制备Cu2O薄膜材料的研究进展，潘景薪，李超群，本文介绍了原子层沉积技术的原理及优势，概述了原子层沉积技术在Cu2O薄膜材料制备方面的应用，总结了原子层沉积技术影响Cu2O薄膜质�
本文讨论了介电沉积之前进行N-2等离子体处理对通过原子层沉积沉积Al2O3的Al2O3 / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)的电性能的影响。 结果表明,采用N
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