质子辐照下AlGaN / GaN异质结构中体陷阱和界面态的表征

表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，该文章主要利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）形成之间的关系，主要分析施主表面态电

通过金属有机气相沉积(MOCVD)在C面蓝宝石上生长使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格(SLs)作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构。 与传统的硅掺杂结构相比,电性能得到改善。 平均薄层电阻

A面和C面AlGaN/GaN异质结的比较研究

低压化学气相沉积法生长的GaN(cap)/ AlGaN / AlN / GaN异质结构与SiNx栅介电层之间的界面陷阱和固定电荷的研究

界面陷阱对常关AlGaN / GaN MOS-HEMT的开关行为的影响

AlGaNGaN异质结中极化效应的模拟(AlGaNGaNDevice)

600°C退火的AlGaN / GaN异质结构的无金欧姆接触的微观结构和物理机理

我们研究了AlGaN / GaN异质结构中电子速度的变化取决于关于照明光的强度和波长。 结果表明,高电子速度下的电子速度在带上光照下,磁场增加。 发现这种电子速度的增强与与热电子相互作用并因此加速的光

分别通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)分析了AlGaN / AlN / GaN异质结构中的位错和表面粗糙度,并使用AFM研究了二维电子气(2DEG)中的迁移率限制机制。考虑到最重要的

利用TCAD半导体器件仿真软件,详细分析了低能(1.8 keV)质子辐照剂量对低轨道卫星用高效插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池转换效率的影响。通过转换效率及其退化特点的对比,得到质子辐照剂量与复