为了更好地理解薄异质结光电阴极的不同光发射机理,基于一维连续方程修正了基于反射模式和透射模GaAs的异质结光电阴极的量子效率模型,其中从发射层和缓冲层产生的光电子被考虑在内。 通过对修正后的模型和常规模型之间的模拟结果进行比较,发现缓冲层对短波量子效率的电子贡献与发射层和缓冲层的厚度以及界面复合速度等因素密切相关。 此外,将反射模式和透射模式的AlGaAs / GaAs光电阴极的实验量子效率数据很好地拟合到修正后的模型中,证实了修正后的量子效率模型的适用性。