对于MOSFET而言,米勒效应(MillerEffect)指其输入输出之间的分布电容(栅漏电容)在MOSFET开关过程中,会使驱动信号形成平台电压,引起开关时间变长,进而导致开关损耗增加,给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。 本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解,分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图: 图一MOSFET的结构简图 通过图一可知:N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底,利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区,并引出两个电极,分别为源极s和漏极d,半导体上制作一层SiO2绝缘层,再在SiO2之上制作一层金属铝