面向小面积和大面积光电二极管的低噪声放大器

以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证

低噪声放大器的设计制作与调试

摘 要:由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据,帮助人们摆脱对导线的依赖,因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实。尽管目前超宽带技术的标准还没有统一,但是低噪声放大器终归是其接收机中一

低噪声放大器在接收系统中可以降低系统噪声提高接受灵敏度,本方案采用ADS设计。

微波宽带低噪声放大器是雷达、电子对抗、微波通信及遥测遥控等接收系统的关键部件。为满足高性能微波接收机系统对微波低噪声放大器宽频带、低噪声系数、高增益和好平坦度等方面的要求。本文利用Infineon公司

基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输

光电二极管将一种基本物理现象(光)转换为电形式(电流)。设计工程师系统地将光检测器电流转换为可用电压,让光电二极管信号的处理易于控制。处理光传感电路问题的方法有很多,但碰到了一个特殊问题。如何用一种能

摘要：利用噪声和信噪比的理论公式及等效电路模型，分析光电二极管检测电路噪声产生的原因．给出低噪声光 电检测电路的设计原则，并设计基于光电二极管低噪声前置放大电路．结果表明：光电二极管的噪声主要是光转换

图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底(Na=6x1012cm-3)上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管[59~60]。 图1 NMOS集成横向PIN光电二极管 由于PIN结构

对射频/微波通信应以而言,放大器主要完成两大任务,一是增强接收机的低电平信号,一是提升发射机的高电平输出信号。虽然它们的功能、尺寸和功率要求不尽相同,但这两种放大器都受益于晶体管技术的持续改进。