Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252DP

VISHAY宣布推出VFCP系列高精度表面贴装BulkMetalZ箔(BMZF)电阻,这些器件采用倒装片配置,可提供良好功率尺寸比。据称,这五款新型VFCP电阻是业界率先将70°C时750mW的高额定

日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH) 宣布,推出16款采用eSMP?系列超薄SMP(DO-220AA)封装的新型2 A和3 A器件,扩充其表面贴

日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用InGan技术且具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色SMD LED。VLMW611系列采用CLCC-6普通封装, 而VLMW62

功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MO

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的

功率转换器的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要,本文提出一种新的Pspice模型

分别将晶闸管的阳极A与阳极门极GA、阴极K与阴极门极短接后,用万用表R×1k档、黑表笔接A极,红表笔接K极,正常时阻值应为无穷大;再将两笔对调测量,K、A极间正常电阻值应为低阻值(数千欧姆)。

VISHAY宣布推出新系列P通道MOSFET,这些器件建立了VISHAY每单位面积最低导通电阻的新记录。 基于新一代TrenchFET芯片技术的新型VISHAY Siliconix器件

我们都懂得如何利用二极管来实现开关,但是,我们只能对其进行开关操作,而不能逐渐控制信号流。此外,二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号。对于诸如“流控制”或可编程开关之

首先阐述了传统测试条件下功率MOSFET管的数据表中雪崩能量值的缺陷,然后讨论了针对实际应用对应着不同的测试电感值时,功率MOSFET雪崩能量的变化及特性,给出了相应的测试波形。同时,通过不同条件下功