1.8V5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器.rar

本文将介绍如何利用ADS设计和仿真低噪声放大器。

基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输

一种基于CMOS工艺的2.4GHz低功耗低噪声放大器设计.caj

摘要: 在无线通信终端中,低噪声放大器是射频接收系统中的第一级有源电路,对系统性能有重要影响。在深入分析噪声的基础上,提出一种采用共基差分输入结构的低噪声放大器,电路包括可控增益放大器和增益控制电路。

为通信和军事市场提供基于MMIC的完整解决方案的全球级提供商Hittite微波公司,最近发布一款用于频率范围为3.5~7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMT GaAs MMIC低噪声放

BFP420晶体管设计2.4GHz低噪声放大器

择手机GPS 低噪放时不仅要看其自身的噪声系数和增益,更要关注其带外衰减指标,这对GPS接收机的捕捉能力,跟踪性能和定位精度,乃至能否正常工作至关重要。

低噪声放大器是射频收发机的一个重要组成部分,也是射频电路设计中的难点。在此先对晶体管ATF-54143做了定性分析,根据定性分析以及实际需求,阐述了射频低噪声放大器设计与仿真的两种方法。一种是以最佳噪

正确选择低噪声放大器 目前,有关低噪声放大器的讨论常常关注于RF/无线应用,但实际应用中,噪声对于低频模拟产品(如数据转换器缓冲、应变仪信号放大和麦克风前置放大器)也有很大影响,是一项重要的考虑因素。

这些年来,微波接收机随着微波技术的进步也在飞快地发展。而接收机射频前端的设计 常常影响着整个系统的非线性指标、噪声系数、稳定度、灵敏度、增益等重要特征。所以, 对接收机射频前端系统的研究有着重要的现实