新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。 CS系列结型场效应管主要特性参数

模拟电路结型场效应管4.1结型场效应管4.1.1结型场效应管的结构与工作原理一、结型场效应管的结构如图1(a)所示,在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结,

常用场效应管及晶体管参数表pdf,常用场效应管及晶体管参数表

晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,下面一起来学习一下

日本的晶体管电路设计，挺不错的，闲的时候可以看看，毕竟日本人写的很严谨

(1)转移特性 栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性,若用曲线表示,该曲线就称为转移特性曲线。它的定义是:漏极电压UDS恒定时,漏极电流ID同栅极电压UGS的关系,即

通过图解分析法和微变等效电路分析法，对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析，阐明了它们在不同工作状态下的变化情况，以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.  

晶体管特性图示仪的说明书和补充,在测试二极管\三级管\场效应管方面作用很好!

在前面的讨论中,都没有考虑衬底电位对晶体管性能的影响,都是假设衬底和晶体管的源极相连,即VBS (Bulk-Source)=0的情况,而实际工作中,经常出现衬底和源极不相连的情况,此时,VBS不等于0

微电子元器件的经典教程，详细的说明了双极型晶体管的工作区域和工作原理，而且讲得非常通熟易懂