本文深入解析了在器件尺寸不断缩小的情况下，应变增强沟道迁移率等新技术对于推动CMOS器件继续发展的重要性。通过对高应力氮化硅薄层等应变增强材料的应用研究，发现其能够有效地提高NMOS的电子迁移率和POMS的空穴迁移率，从而大幅提升器件性能，使其在22纳米技术代中得以应用。这一成果在纳米CMOS器件的研究中具有巨大意义。