# 迁移率材料
载流子迁移率
在2.5.6节提到过,在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中,我们对载流子(空穴和电子)移动所需能量和其移动的速度都感
什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些性能
迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大;
载流子迁移率测量方法总结
0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定半导体材料的电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重
应变增强沟道迁移率材料在纳米CMOS器件中的应用
本文深入解析了在器件尺寸不断缩小的情况下，应变增强沟道迁移率等新技术对于推动CMOS器件继续发展的重要性。通过对高应力氮化硅薄层
OTS处理提高有机TFT载流子迁移率
韩国庆熙大学日前通过将有机TFT面板的PVP栅绝缘膜进行OTS(Octadecyltrichlorosilane,十八烷基三氯硅
n Si和p Si体内迁移率
n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半,并且与晶向有关。 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)
HEMT高电子迁移率晶体管介绍
Introduction to HEMT (High Electron Mobility Transistor)
电子测量中的载流子迁移率测量方法总结
0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定半导体材料的电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重
AlGaN GaN高电子迁移率晶体管的储热
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的储热
衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和迁移率的影响
衬底温度是影响ZnO薄膜特性的重要因素,可以在很大程度上改变薄膜的结晶结构,温度高低直接影响衬底表面吸附原子的表面迁移率,再蒸发