SJ 21477-2018标准中对于磷化铟多晶材料的合成工艺技术要求,包括反应温度、反应时间、反应气氛以及产品的形态、颜色等方面。此外,还介绍了磷化铟多晶材料在光电、电子、半导体等领域的应用前景。
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矿井深部巷道维护一直是煤矿生产建设中的难题,特别是在软岩内布置巷道,围岩变形大,稳定性差,使巷道的支护十分困难,而且屡遭破坏,需反复修护,严重影响矿井的安全和正常生产。锚注加固技术是在岩体锚杆加固与注
分析了中国发展煤制天然气的必要性和煤制天然气项目概况。介绍了以煤为原料制取天然气的"一步法"和"两步法"技术路线,重点阐述了戴维甲烷化技术(CRG)、托普索甲烷
针对煤层气井井场井口有瓦斯泄漏、排水口瓦斯含量高,影响气井正常安全生产、资源浪费的状况,分析了现有井口密封装置和水管线气体分离装置的不足,提出了煤层气排采井井场瓦斯收集工艺技术。介绍了可调偏式井口密封
针对浮选中煤进行二次资源开发,提出了浮选中煤螺旋抛尾——磨矿解离工艺,对入料浓度、处理量和磨矿填充率等工艺条件进行了探索研究。研究结果表明,浮选中煤的粗粒级灰分较高,需要抛除原煤中的高灰分部分,为后续
INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGE BICMOS工艺技术,该工艺制作了10GHz的锁相环回路(PLL)。这种10GHz的SIGE BICMOS PLL设立了高速低功耗和集成的射频(RF
分析探讨了重质芳烃类物质重苯、洗油的加氢轻质化利用的工艺技术、经济性及市场可行性。
液封直拉磷化铟单晶的湿法腐蚀研究,杨瑞霞,陈爱华,采用原位磷注入合成法在富磷熔体中生长磷化铟(InP)单晶体材料,用两种腐蚀试剂对掺S和掺Fe的单晶片进行研究,用自主配制的CH (CrO3/HBr)
一 前言 最早PCB生产过程的图形转移材料采用湿膜,随着湿膜的不断使用和PCB的技术要求提高,湿膜的缺点也显露出来了,主要聚中在生产周期长、涂膜厚度不均、涂膜后板面针眼和杂物太多、孔中显影困难。导
表面组装工艺通用技术要求
定向钻进技术以其精确控制钻孔轨迹逐渐被应用于煤矿井下瓦斯抽采钻孔及防治水钻孔施工中。从定向钻进技术的原理入手,以国内多家煤矿企业井下施工定向钻孔的实际资料,研究了定向钻进技术在煤矿井下进行瓦斯抽采、地
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