多面栅MOSFET作为一种新型的半导体器件，在其制备过程中涉及到多个关键技术。侧壁刻蚀及后处理是其中之一，通过这一步骤可以有效改善器件的表面形貌，提高性能。而纵向多面栅MOSFET则是在多面栅MOSFET基础上的一种改进型，在电流传输和器件性能方面具有更为出色的特性。等电位近似是器件设计中常用的优化方法，通过调整电位来实现性能的最优化。体反型作为一种设计概念，可以通过改变电荷分布来灵活调控器件性能。迁移率是评估载流子在半导体中迁移能力的关键参数，直接影响器件性能。沟道非均匀掺杂是制备多面栅MOSFET时需要解决的技术难题之一，对于提高器件性能至关重要。综合而言，多面栅MOSFET通过这些关键技术的应用，展现出在亚阈值特性、载流子迁移率、跨导、电流驱动能力等方面的性能优势。