# 载流子迁移率
载流子迁移率
在2.5.6节提到过,在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中,我们对载流子(空穴和电子)移动所需能量和其移动的速度都感
载流子迁移率测量方法总结
0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定半导体材料的电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重
什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些性能
迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大;
OTS处理提高有机TFT载流子迁移率
韩国庆熙大学日前通过将有机TFT面板的PVP栅绝缘膜进行OTS(Octadecyltrichlorosilane,十八烷基三氯硅
电子测量中的载流子迁移率测量方法总结
0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定半导体材料的电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重
低表面能界面衍生的有机薄膜的低温重结晶行为以提高载流子迁移率
低表面能界面衍生的有机薄膜的低温重结晶行为,以提高载流子迁移率
n Si和p Si体内迁移率
n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半,并且与晶向有关。 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)
HEMT高电子迁移率晶体管介绍
Introduction to HEMT (High Electron Mobility Transistor)
有机体异质结太阳能电池中电荷载流子迁移率效应的建模
有机体异质结太阳能电池中电荷载流子迁移率效应的建模
AlGaN GaN高电子迁移率晶体管的储热
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的储热