半导体器件的稳定性一直是电子工程领域的关键问题之一。SGT MOSFET（Split-Gate Transistor Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种新型半导体器件，其击穿稳定性备受关注。本研究旨在探讨提高SGT MOSFET稳定性的技术和方法。通过对器件结构和工作原理的深入研究，我们可以针对其在高电场条件下的脆弱性提出相应的改进方案。这些技术不仅可以提高SGT MOSFET的性能，还对其他类似半导体器件的稳定性优化提供了有益的启示。