半导体器件稳定性优化技术 半导体器件的稳定性一直是电子工程领域的关键问题之一。SGT MOSFET(Split-Gate Transistor Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为一种新型半导体器件,其击穿稳定性备受关注。本研究旨在探讨提高SGT MOSFE