CMOS集成电路闩锁效应及防护设计

深入探讨了CMOS集成电路中常见的闩锁效应，分析了其形成机理、影响因素以及潜在危害。此外，文章还介绍了多种有效的闩锁防护设计方法，包括工艺级防护、电路级防护和版图级防护，并分析了各种方法的优缺点和适用场景，为提高CMOS集成电路的可靠性和稳定性提供参考。