通过对微电子器件可靠性检测现状和电子散斑技术(ESPI)的研究,提出根据半导体器件离面位移变化情况预测其寿命。建立了一套电子散斑测量系统,温控系统为试件提供加速温度应力并控温,同时测量试件封装离面位移的变化规律,根据离面位移数据提取失效激活能,并结合寿命预测模型外推不同温度环境下的工作寿命。对样品S8550进行了100 °C~190 °C的序进应力加速实验,得到了各温度点的离面位移数据,并根据离面位移的变化规律快速地提取出了失效激活能,推算了工作环境温度为50 °C和100 °C时该试件的可靠寿命。实验数据与相关资料吻合,验证了该方法的可行性。