# 无杂质电子
无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状
自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其
扩散系数随杂质浓度变化时的杂质分布
杂质的扩散系数D不仅与杂质的激活能和温度有关,而且还与杂质浓度有关。当杂质的浓度远小于该扩散温度下硅片的本征载流子浓度ni时,杂
杂质分布的计算模拟
至此,I区杂质As在I、II、III区中的浓度分布 C1(x,t)、C2(x,t)、C3(x,t)均已求出。同理,可以得到III
药物的杂质检查
食品对于人类而言拥有着获取营养和品味美食两个功能,而药物的杂质检查所蕴含的知识与资料定不会让你失望...该文档为药物的杂质检查,
电子杂质和电子声子相互作用对石墨烯磁光导的影响
在外加垂直磁场的石墨烯系统中,基于格林函数方法以自能的形式理论研究了电荷杂质散射和光学声子散射中心对朗道能谱的影响,采用久保(K
全息二杂质近藤模型
我们提出了一个基于Anti-deSitter/共形场理论（AdS/CFT）对应关系的强相互作用的两个杂质近藤系统的模型，也称为全
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扩散方程及扩散杂质分布
课程内容: 1 扩散方程 1.1 平面器件扩散状态近似 1.2 扩散方程的建立 2 两步扩散工艺及其特点 2.1 两步扩散工艺
浅析杂质扩散原理.pdf
浅析杂质扩散原理
可解自对偶杂质模型
我们发现了一个（半）自对偶杂质模型族，这样对于在拓扑无关紧要的情况下和对于扭结（或抗扭结）配置，对于杂质的任何空间分布，自对偶（