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研究了蓝宝石基LED 外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关 系, 比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响, 并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的 变化规律, 为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据。

为了制作高质量GaN基光电子器件,我们需要获得高质量、载流子浓度高的n型GaN单晶膜。在采用立式MOCVD系统进行生长的过程中,我们通过优化工艺成功获得了高质量、载流子浓度高达(填写具体数值)的n型单晶膜。同时,我们也有效地抑制了由深能级引起的黄带发射,使带边发光强度显著提高。在掺杂量增大的情况下,