Superjunction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备,宋庆文,张玉明,基于水平式低压热壁化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition-CVD)生长系统,采用Al离子注入后进行二次外延生长的方法,成功的在N型4H-SiC��