半导体激光器与光纤耦合

可在室温附近连续工作的双异质结半导体激光器,近几年来已在日本得到大力发展。这种激光器分为三类:(1)波长范围0.8微米的AlGaAs激光器称为短波激光器;(2)波长范围为1微米的InGaAsP激光器称

日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条

以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数

实验研究了质子轰击条形GaAs/GaAlAsDH半导体激光器的像散特性.

本文从范德玻尔(van der Pol)方程出发,导出了描述延迟自差拍法谱宽测量的公式。讨论了各结构参数对测量的影响。报道了用该法对单频半导体激光器测量的一些结果。

研究了热起伏、场零点飘移和自发辐射对半导体激光器AM和FM噪声的影响。

目前,减小二极管激光器输出光束的扩散角已成为一个集中研究的课题。基于宽度相同的激光器发出的窄光束,其横向扩散角是5°。锁相阵激光器发出的光束,其横向扩散角只有1.5、它可用于基模振荡和高次模振荡。然而

半导体激光器光束由于其波导结构,出射光束发散角很大,属于非傍轴光束,使得用傍轴理论处理精度不高。为了精确地描述光场分布,需用更精确的非傍轴矢量理论进行分析。针对半导体激光器光束传输特性,运用光波矢量传

日本夏普公司研制成一种在谐振腔内部设有光反射区的双重谐振结构干涉型可见光半导体激光器IRI-VSIS,在世界上首次在可见光区域实现纵模稳定,同时该所运用由各自的谐振腔所决定的两种激光相互干涉的新技术,

英国标准通信实验室为存贮技术公司开发的一项工作可把许多激光器集成在一块晶片上。现有技术由于激光运转电流很高而不宜集成。