CeCu共掺杂对SnO2薄膜光电特性的影响

通过使用React蒸发将非晶Er(2)O(3)膜沉积在Si(001)衬底上。 本文报道了在氧气气氛中,随着退火温度的变化,结构,形态和电特性的变化。 X射线衍射和高分辨率透射电子显微镜测量表明,即使在

热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响分析

涂料对TiO2薄膜激光损伤阈值的影响

Wavelength-Tuned Light Emission via Modifying the Band Edge Symmetry: Doped SnO2 as an Example

纳米硅氧薄膜的低温沉积及其光电特性 ，刘海旭，赵静，本文目的在于研究低温下获得高质量纳米硅氧（nc-SiOx:H）薄膜材料的制备条件，采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，以硅

采用旋涂法制备了若丹明6G(Rh6G)和若丹明B(RhB)两种染料掺杂的DNA-CTMA复合薄膜,并通过对薄膜的表面形貌、紫外/可见/红外吸收光谱、荧光光谱特性的测量,表征了薄膜的成膜质量及光谱特性。

对不同离子束密度条件下辅助沉积的ZnS薄膜进行了物理及光学特性研究。研究结果表明,在离子束辅助沉积ZnS薄膜时会出现非均匀生长现象, 且非均匀性和折射率会随着离子束密度的增加而增大, 薄膜结晶程度也增

采用射频溅射法制备了Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,对沉积态薄膜在300°C时进行了热处理,测量了不同厚度薄膜的反射、吸收谱及光学常数.研究了薄膜的光学常数与薄膜厚度的关系,结果表明在一定的厚

烧结温度对SiO2-TiO2薄膜亲水性的影响， 夏添，郭宪英，为了确定SiO2-TiO2薄膜制备过程的最佳烧结温度，实验将不同SiO2与TiO2掺杂比的样品分别在400°和500°下煅烧，然后进行与水

不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析