论文研究28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究 .pdf

为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的

28nm镍化合金工艺中激光退火温度日常监控方法的研究，顾海龙，黄其煜，半导体集成电路的工艺线宽正在按照摩尔定律不断缩小，而器件的性能却在不断提高。为了有效地解决源漏极和栅极之间的互连接触电阻

PECVD薄膜颗粒缺陷研究和改善，王铁渠，黄其煜，在半导体集成电路制造PECVD工艺中，经常会遇到薄膜颗粒缺陷问题。本论文总结了PECVD中薄膜颗粒的类型和形成原因以及改善方法。PECVD��

铝垫工艺pits缺陷的形成机理和改善研究，郭浩，，在集成电路制造中，Al具有在空气中稳定，且其工艺廉价和成熟的特点。这使其在90纳米甚至更微小尺寸的工艺技术的远后段制程中必不��

晶背清洗工艺对焊盘结晶缺陷的影响研究 ，陈超，王英，焊盘结晶缺陷是焊盘受氟元素侵蚀产生的一种结晶缺陷，会导致封装工艺中的引线键合失效。本文结合目前国内外对焊盘结晶缺陷已有的

闪光退火在28纳米工艺中的整合，邱裕明，黄其煜，闪光退火具有修复能力好，退火时间选择范围广等优点被应用于28纳米及以下集成电路制造工艺中。然而，在退火过程中，由于存在正面�

狼疮灵颗粒的提取工艺研究，朱晗，冯俭，目的探讨狼疮灵颗粒的最佳提取工艺。方法以干浸膏得率、总多糖含量和芍药苷含量为指标，采用L9（34）正交实验法优选水提取工艺�

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电镀铜工艺中孔洞缺陷失效机理探究，周峻晨，程秀兰，电镀铜工艺在线宽越来越小的背景下面临诸多缺陷问题，孔洞缺陷就是其中较常见也是较难解决的缺陷问题之一。本文运用分批实验的方