预烧粉相结构对Pb0.925Ba0.075Nb2O60.5wt%TiO2压电陶瓷结构和电学性能的影响

掺杂浓度对Mo-In2O3薄膜的性能影响，胡岗，孙志刚，采用真空蒸渡法合成了Mo掺杂In2O3（简称IMO）稀磁半导体薄膜，研究了Mo掺杂量对IMO薄膜的结构、形貌、电输运性能和磁性能的影响。研究

为了获得最佳的电阻转换性能,研究了Nb:SrTiO3(NSTO)的氧空位浓度对Ag / NSTO / Ti结构的电阻转换性能的影响。 为了获得具有不同氧空位浓度的NSTO,在将衬底用于制造Ag / N

烧结工艺对钛酸锶钡陶瓷结构的影响，李卓，樊慧庆，采用不同的固相烧结工艺，分别在1300℃～1320℃制得了纯钙钛矿相结构的热释电钛酸锶钡（Ba0.7Sr0.3TiO3）陶瓷。Ｘ射线衍射结果进行了相�

烧结时间对热压Y-α-SiAlON陶瓷微观结构的影响，单英春，徐久军，采用热压烧结方法研究了烧结时间（在最高烧结温度的保温时间）对设计组成为Y0.4Si9.8Al2.2O1.0N15陶瓷物相组成、微观

氧分压对非晶SiO2薄膜结构及性能的影响，丁安邦，牟宗信，不同氧分压下，采用中频反应磁控溅射方法在单晶硅基体上制备SiO2 薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、原子力

Y2O3-La2O3 复合助剂对无压烧结制备γ-AlON 透明陶瓷的影响，魏巍，王皓，以γ-AlON粉体为原料，Y2O3和La2O3为复合烧结助剂（其中Y2O3和La2O3质量比是4:1），在氮气气氛

Cr2O3对NiFe2O4基金属陶瓷惰性阳极电解腐蚀的影响，黄勇，委福祥，采用高温固相反应法合成无添加剂和添加Cr2O3的10%Ag-NiFe2O4/NiO金属陶瓷惰性阳极。在920℃～960℃的温度

SiO2对CaF2-CaO-Al2O3-TiO2型电渣重熔渣结晶的影响，徐荣嬛，郭靖，为了提高电渣重熔渣的固相润滑性能，本文通过引入经典晶体学模型Jacksonα指数来预测晶体形态，研究了SiO2的添

分别用花粉和柠檬酸为模板剂制得了光催化剂TiO2(HF)和TiO2(NM),并在紫外光下进行龙胆紫、蕃红花T、罗丹明B水溶液染料的降解实验。通过2 h的降解,用柠檬酸为模板剂制得的TiO2对蕃红花T染

Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响，魏琳琳，孙志刚，采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In2O3中的溶解度约为10%，在溶解度范围