Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

采用直流磁控溅射方法,以K9玻璃为衬底制备掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)薄膜。在300°C真空条件下对样品进行退火处理,研究不同退火时间对薄膜内部微观结构、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,最佳

退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性质的影响，孙冬晓，李金华，采用原子层沉积法（ALD）在石英衬底上制备ZnMgO薄膜，并对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了不同浓度Cl掺杂ZnS的电子结构和光学性质。结果表明,掺杂后带隙随杂质浓度的增大而减小,价带变窄,杂质能级展宽;Cl浓度的增大使ZnS∶Cl在可见光

Si层厚度和退火处理对Co/Si薄膜结构和磁性的影响，王亚磊，李洁，采用磁控溅射方法在室温下在玻璃基片上沉积了系列Co/Si薄膜，并对其进行后期真空退火处理，研究了Si层厚度和后期退火对薄膜结构和�

对不同离子束密度条件下辅助沉积的ZnS薄膜进行了物理及光学特性研究。研究结果表明,在离子束辅助沉积ZnS薄膜时会出现非均匀生长现象, 且非均匀性和折射率会随着离子束密度的增加而增大, 薄膜结晶程度也增

采用射频反应磁控溅射系统,在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜,通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下,沉积气压对其结构和光学性能的影响。薄膜的微观结构通过X射线衍射和原子力显

离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后,通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingo

离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响，张斌，，在半导体工艺中，在摩尔定律的指导下，器件的关键尺寸不断缩小，以此来不断提升器件的性能，而且为了保持器件性能以及集成性，器

Mo离子注入和离子渗硫对TiN涂层微观结构和表面性能的影响，王成彪，田斌，在物理气相沉积的TiN涂层表面进行剂量为1E18离子/cm2的Mo离子注入，接着采用低温离子渗流技术对Mo离子注入改性后的Ti

热循环退火对InAs/Si(211)薄膜结构和电学性能的影响