Mo离子注入和离子渗硫对TiN涂层微观结构和表面性能的影响

纳秒激光辐照对硫离子注入硅表面形貌及光电性能的影响

氮离子注入对栅氧化层击穿的影响，范呈丰，荣国光，本文介绍了氮植入对超薄栅氧化物[1],[2]的时间相关介质击穿（TDDB）的底层机制研究。据发现，氮植入可以提高TDDB对NMOS的可靠性，同时��

温度对AZ91D镁合金表面渗镀铝涂层组织结构和性能影响，张岩，李晓芳，采用脉冲偏压直流磁控溅射在AZ91D镁合金表面渗镀铝涂层，研究了渗镀温度对渗镀层组织结构和性能的影响。结果表明，渗镀铝涂层由铝�

Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响，苏海桥，薛书文，利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜，将能量80keV，剂量1×1017ions/cm2的Ti离子注入到薄膜中，并将注入后

硅烷流量对电弧离子镀TiSiN涂层结构和性能的影响，杨兵，田灿鑫，在硅烷气氛中采用电弧离子镀技术制备TiSiN复合涂层。系统研究了硅烷流量对涂层结构和性能的影响。采用透射电子显微镜分析涂层结构�

热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响，周小东，任峰，本文采用离子注入法将Si离子注入到非晶SiO2介质中，并结合热退火处理制备了Si纳米晶。系统研究了热退火条件对Si纳米晶光致发光（PL）

He离子注入对Cu/Cr和Cu/Nb纳米金属多层膜力学性能的影响，朱望波，牛佳佳，Cu/Nb, Cu/Cr纳米金属多层膜具有多界面性和良好的力学性能，能够有效的阻挡入射的辐照离子，并在辐照后保持良好的

离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响，张斌，，在半导体工艺中，在摩尔定律的指导下，器件的关键尺寸不断缩小，以此来不断提升器件的性能，而且为了保持器件性能以及集成性，器

同等剂量W、Mo离子注入对氮化钛涂层表面性能的影响，王成彪，田斌，为了进一步改善氮化钛涂层的摩擦学性能，利用金属蒸汽真空弧源(MEVVA)在TiN涂层表面进行等剂量W、Mo离子的注入。采用扫描俄歇系统

离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后,通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingo

离子注入已被证明是改善蓝宝石光学和机械表面性能的一种可靠方法。本文选择不同能量和剂量的镁/钛离子注入蓝宝石。利用TRIM (Transport of Ion Matter)程序分析了镁/钛离子在蓝宝石

利用激光熔覆技术, 在铜基体表面制备了三种Ni-Mo-Si复合材料涂层, 对三种涂层的相组成与组织进行了研究, 利用压痕法研究了涂层硬度与韧性。研究结果表明, 三种涂层的相组成分别为MoSi2+Ni2

采用真空蒸发经热处理制备了V2O5薄膜, 使用二电极恒流法从1 M/L LiClO4的PC电解质溶液向V2O5薄膜注入锂离子, 形成LixV2O5(0≤x≤0.54), 测量了V2O5薄膜近垂直反射和

用能量为2.8 MeV、剂量为1.4×1016 ion/cm2的He+在室温(300 K)下注入到晶体材料LiTaO3中,形成了离子注入平板光波导。用棱镜耦合法观察和测量了LiTaO3波导导模的分布,

本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导。本文主要模拟了He离子入射角度、能量以及注入剂量对Ge材料损伤程