在Si(001)上异质外延βFeSi2的能带结构研究

晶体取向对NiCo2O4外延薄膜结构及电导特性的影响，张如意，刘文龙，利用射频磁控溅射方法在MgAl2O4单晶衬底上分别制备了具有(001)、(011)和(111)取向的NiCo2O4外延薄膜。本文研

碱金属原子在Si(001)表面吸附的尺寸效应，蔡亚萍，李奕，采用密度泛函理论方法，对低覆盖度(0.25ML)情况下一系列碱金属原子(AM=Li、Na、K、Rb、Cs)在Si(001)-2x2表面的吸附

低场下基于AMR研究Fe/Si(001)薄膜的磁各向异性，叶军，何为，在Fe/Si(001)薄膜中，如果一致转动和畴壁位移同时出现在磁化反转过程中，研究它的磁各向异性将会非常困难。由于畴壁位移的存在，

低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的同步辐射研究，吴小山，蒋树声，本文利用X射线方法研究了低温生长的Ge/Si超晶格的界面结构与生长Ge亚层厚度的关系。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si在G

In2Se3-MoSe2范德华异质结构中的有效能量转移

我们构造了S1 / Z2上N M2的动作。 由此产生的理论具有规范异常,但是如果两个固定点平面均在U(N)的基本面上支持8个手性费米子,则可以将其消除。 采取低能量极限导致了N个自由杂散弦的世界表理论

Si端面β-SiC(001)表面的原子结构随温度变化的分子动力学模拟，马梨，赵耀林，本文采用了Tersoff/ZBL势对不同温度下Si端面的β-SiC(001)表面的原子结构进行了分子动力学（MD）模

开发了一种使用表面声波评估声学厚各向异性层的多模光声方法。 这样的层支持多种声学模式。 这使相反的问题变得复杂,但是另一方面,使得可以提取更多的材料特性。 基于两种表面声学模式,对由Ir / YSZ(

SiGeC/Si异质结二极管特性分析与优化设计，刘静，，基于异质结理论，提出了一种新型p(SiGeC)-n--n异质结功率二极管结构。分析了C对SiGe合金的应变补偿作用的物理机理。利用MEDICI模

表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，该文章主要利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）形成之间的关系，主要分析施主表面态电