ITO电极与nZnO薄膜的欧姆接触特性

通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了一种新的亚酞菁(三硝基溴硼亚酞菁)薄膜。利用全自动椭圆偏振光谱仪研究了该薄膜的椭偏光谱,测量了其复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜在窗口区域的俘获能级并对其吸收

通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了酞菁铜(CuPc)薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了CuPc薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。

用聚酯薄膜( Polyester film )、聚丙烯薄膜( Polypropylene film) 等有机材料制成的电容具有制造方便,容量稳定,可靠性高,绝缘电阻高,损耗小,具备自愈性,价格低等优点

采用Berreman特征矩阵方法,通过数值计算研究了双折射薄膜的反射、透射等光谱响应特性。依据电磁场理论的电场分量、磁场分量的界面连续条件,推导了光波在各向异性双轴薄膜中的Berreman转移矩阵,用

我们报道了在熔融石英衬底上掺有银纳米团簇的ZnO薄膜的紫外激光诱导的光伏效应。 在266 nm脉冲激光的照射下,在25 ps的持续时间内,观察到半峰全宽的开路光电压约为1 ns。 当用308 nm激光

通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了酞菁铟(InPc)薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了InPc薄膜的椭偏光谱,发现InPc薄膜在600~800 nm波长范围内有较大的吸收并分析了其

聚偏氟乙烯薄膜的太赫兹介电特性

报道了Al/α-SnPc/ITO夹心结构的瞬态光电压随入射光强度和波长变化的演变特性和稳态连续光照射下的光电压作用光谱。稳态光电压作用光谱和其对应吸收光谱的变化趋势非常接近;而瞬态光电压的大小、极性和

利用射频磁控溅射法在(LaAlO3)0:3(SrAl0:5Ta0:5O3)0:7 (001) 单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO3 外延薄.膜. 通过Hall 效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO3

弱吸收单面薄膜光学特性的表征方法