窄禁带碲镉汞吸收边非线性移动的计算验证，越方禹，，实验已表明，掺杂窄禁带碲镉汞半导体材料的吸收边随温度变化在相关器件工作温度区域（77K）存在非线性（反常）移动特征，且初步�