NSBC114EDXV6T1的技术参数

产品型号:NSBC114EDXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯

产品型号:DTA114YET1类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:6D封装

产品型号:NUP2301MW6T1雪崩电压VBRmin(V):70雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):-IT(mA):-最大反向漏电流IR(nA):0.100峰值反向工作电压VR

产品型号:MMSZ6V2T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.890齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.510@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大